1200 ولت N- کانال سیلیکون کاربید قدرت MOSFET SIC MOSFET

1200 ولت N- کانال سیلیکون کاربید قدرت MOSFET SIC MOSFET

Name: yzpst-m2g0080120d n-channel power mOSFET
Uploaded: 2022-10-31T09:04:54+08:00
Description: 1200 ولت N- کانال سیلیکون کاربید قدرت MOSFET

$10100-999 Piece/Pieces

$6.5≥1000Piece/Pieces

نوع پرداخت:	L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:	FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:	Ocean,Air
بندر:	SHANGHAI

اکنون تماس بگیرید

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

مدل شماره: YZPST-M2G0080120D

نام تجاری: yzpst

VDSmax: 1200V

Id: 42A

Pd: 208W

VGS,op: -5/+20V

Vgsmax: -10/+25 ولت

Packaging & Delivery

فروش واحد	:	Piece/Pieces
نوع بسته بندی	:	1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بسته بندی محافظ پلاستیکی
دانلود	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

yzpst-m2g0080120d n-channel power mOSFET



توضیحات محصول

M2G0080120D

1200 ولت N- کانال سیلیکون کاربید قدرت MOSFET SIC MOSFET

امکانات

• بسته بهینه شده با پین منبع درایور جداگانه

• ولتاژ مسدود کننده بالا با مقاومت کم

• سوئیچینگ با سرعت بالا با خازن کم

• دیود ذاتی سریع با بازیابی معکوس کم (QRR)

• به راحتی موازی

• سازگار با ROHS

فواید

• راندمان بالاتر سیستم

• نیازهای خنک کننده را کاهش دهید

• افزایش چگالی قدرت

• فعال کردن فرکانس بالاتر

• زنگ زدن دروازه را به حداقل برسانید

• کاهش پیچیدگی و هزینه سیستم

برنامه های کاربردی

• منبع تغذیه حالت سوئیچ

• مبدل های DC/DC

• اینورترهای خورشیدی

• شارژرهای باتری

• درایوهای موتور

Power MOSFET

حداکثر رتبه بندی (TC = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد)

Symbol	Parameter	Value	Unit	Test Conditions	Note
f^DSmax	Drain-Source Breakdown Voltage	1200	V	海=0 V, /d=100 卩A
Id	Continuous Drain Current	42	A	4s=20 V Tc=25 °C	Fig. 18
Pd	Power Dissipation	208	W	*=25 °C	Fig. 19
FgS,op	Recommend Gate Source Voltage	-0.25	V
J^Smax	Maximum Gate Source Voltage	-0.4	V	AC (f>lHz)	Note 1
Tj, Tstg	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to	°C
Tj, Tstg	Operating Junction and Storage Temperature Range	175	°C
7l	Soldering Temperature	260	°C

خصوصیات الکتریکی

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit	Test Conditions	Note
Static
BVds	Drain-Source Breakdown Voltage	1200	-	-	V	4s=0 V, Zd=100 卩A
A)ss	Zero Gate Voltage Drain Current	—	11	100		丹s=1200 V Pgs=0 V
Igss	Gate-Source Leakage	—	10	250	nA	4s=20 V
FGS(th)	Gate-Source Threshold Voltage	2	—	4	V	Id=5 mA,	Fig. 11
&DS(on)	Drain-Source On-Resistance	—	78	100	mQ	国=20 V, Zd=20 A	Fig. 6
Dynamic
Ciss	Input Capacitance	—	1128		PF	4s=0 V,比s=1000 V	Fig. 17
C^oss	Output Capacitance	—	86			f^l.OMHz,瓜=25 mV
Crss	Reverse Transfer Capacitance	—	5
Eoss	Coss Stored Energy	-	44		卩J		Fig. 16
Qs	Total Gate Charge	—	52		nC	moo V	Fig. 12
figs	Gate-Source Charge	-	17			血=20 A
Qgd	Gate-Drain Charge	-	15			Fgs=-5/+20 V
td(cn)	Turn-on Delay Time	—	41		ns	丹 s=800 V
tr	Turn-on Rise Time	-	21			Fgs=-5/+20 V
	Turn-off Delay Time	—	48			Id=20A
tf	Turn-off Fall Time	—	16			Ro(ext)=2.5 Q
RG(int)	Internal Gate Resistance	-	4		n	E.O MHz, Vac=25 mV