$3650-499 Piece/Pieces
$32≥500Piece/Pieces
| نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
| اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
| حمل و نقل: | Ocean,Land |
| بندر: | SHANGHAI |
Share:
مدل شماره: YZPST-M2A016120L
نام تجاری: yzpst
مکان مبداء: چین
VDSmax: 1200V
VGSmax: -8/+22V
VGSop: -4/+18V
ID Tc=25℃: 115A
ID Tc=100℃: 76A
ID(pulse): 250A
PD: 582W
TJ, TSTG: -55 to +175℃
| فروش واحد | : | Piece/Pieces |
| دانلود | : |
|
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
N-Channel Sic Power MOSFET P/N: YZPST-M2A016120L SIC MOSFET
امکانات
ولتاژ مسدود کننده بالا با مقاومت کم
سوئیچینگ با سرعت بالا با ظرفیت کم
رانندگی آسان برای موازی و ساده
فواید
راندمان بالاتر سیستم
کاهش نیازهای خنک کننده
افزایش چگالی قدرت
فرکانس سوئیچینگ سیستم افزایش یافته است
برنامه های کاربردی
انرژی تجدید پذیر
شارژرهای باتری EV
مبدل های ولتاژ DC/DC بالا
منبع تغذیه حالت سوئیچ
بسته بندی کردن
|
Part Number |
Package |
|
M2A016120L |
TO-247-4 |
حداکثر رتبه بندی (T C = 25 ℃ کمتر در غیر این صورت مشخص شده است)
| Symbol | Parameter | Value | Unit | Test Conditions | Note |
| VDSmax | Drain-Source Voltage | 1200 | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGSmax | Gate-Source Voltage | -8/+22 | V | Absolute maximum values | |
| VGSop | Gate-Source Voltage |
-4/+18 |
V | Recommended operational values | |
| ID | Continuous Drain Current | 115 | A | VGS=18V, Tc=25℃ | |
| 76 | VGS=18V, Tc=100℃ | ||||
| ID(pulse) | Pulsed Drain Current | 250 | A | Pulse width tp limited by TJmax | |
| PD | Power Dissipation | 582 | W | Tc=25℃, TJ=175℃ | |
| TJ, TSTG | Operating Junction and Storage Temperature | -55 to +175 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Unit | Test Conditions | Note |
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 | / | / | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGS(th) | Gate Threshold Voltage | 1.9 | 2.6 | 4 | V | VDS=VGS, ID=23mA | |
| / | 1.8 | / | VDS=VGS, ID=23mA, TJ=175℃ | ||||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Gate-Source Leakage Current | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=22V | |
| IGSS- | Gate-Source Leakage Current | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=-8V | |
| RDS(on) | Drain-Source On-State Resistance | / | 16 | 21 | mΩ | VGS=18V, ID=75A | |
| / | 28 | / | VGS=18V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| gfs | Transconductance | / | 40.5 | / | S | VDS=20V, ID=75A | |
| / | 37 | / | VDS=20V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| Ciss | Input Capacitance | / | 4300 | / | VGS=0V | ||
| Coss | Output Capacitance | / | 236 | / | pF | VDS=1000V | |
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | / | 35 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Coss Stored Energy | / | 136 | / | µJ | VAC=25mV | |
| EON | Turn-On Switching Energy | / | 2.1 | / | µJ | VDS=800V, VGS=-4V/18V | |
| EOFF | Turn-Off Switching Energy | / | 1.6 | / | ID=40A, RG(ext)=2.5Ω, L=100μH | ||
| td(on) | Turn-On Delay Time | / | 150 | / | |||
| tr | Rise Time | / | 38 | / | VDS=800V, VGS=-4V/18V, ID=40A RG(ext)=2.5Ω, RL=20Ω | ||
| td(off) | Turn-Off Delay Time | / | 108 | / | ns | ||
| tf | Fall Time | / | 35 | / | |||
| RG(int) | Internal Gate Resistance | / | 2.3 | / | Ω | f=1MHz, VAC=25mV | |
| QGS | Gate to Source Charge | / | 60 | / | VDS=800V | ||
| QGD | Gate to Drain Charge | / | 44 | / | nC | VGS=-4V/18V | |
| QG | Total Gate Charge | / | 242 | / | ID=40A |
بسته بندی کردن ابعاد
تلفن: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
نشانی: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
سایت اینترنتی: https://fa.yzpst.com
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
Contact Now