خانه> محصولات> بسته پلاستیکی نیمه هادی> Bi Directions Thyristor (Triac)> نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC
نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC
نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC
نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC
نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC
نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC
نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC
نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC
نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC

نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC

$0.242000-19999 Piece/Pieces

$0.19≥20000Piece/Pieces

نوع پرداخت:L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:Ocean,Land,Others
بندر:SHANGHAI
ویژگی های محصول

مدل شمارهYZPST-BTA24-800BW

نام تجاریyzpst

مکان مبداءچین

IT(RMS)25A

VDRM/800V

VRRM800V

VTM≤1.5A

Tstg-40~150℃

TJ-40 ~ 125

ITSM250A

I2t340A2s

DI/dt50A/ μs

Packaging & Delivery
فروش واحد : Piece/Pieces
نوع بسته بندی : 1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. نوار
دانلود :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

TRIAC BTA24 800BW TO220
توضیحات محصول

TRIACS BTA24/BTB24 سری 25A

نرخ DV/DT بالا 800V BTA24-800BW 25A TRIAC


YZPST-BTA24-800BW
شرح:
TRIAC های سری BTA24/BTB24 با توانایی زیاد در برابر بارگذاری شوک جریان بزرگ ، میزان DV/DT بالایی را با مقاومت قوی در برابر رابط الکترومغناطیسی فراهم می کنند.

با عملکردهای بالایی ، 3 محصول ربع به ویژه برای استفاده در بار القایی توصیه می شود. از هر سه پایانه تا Heatsink خارجی ، BTA24 ولتاژ عایق دارای 2500 VRM را مطابق با استانداردهای UL فراهم می کند

YZPST-BTA24-800BW


اصلی امکانات:

symbol

value

unit

IT(RMS)

25

A

VDRM/VRRM

600/800/1200/1600

V

VTM

≤1.5

V

مطلق بیشترین رتبه بندی ها:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800/1200/1600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800/1200/1600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

250

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

340

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

10

W

خصوصیات الکتریکی (TJ = 25 مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد)

3 ربع

Parameter Value
Test Condition Quadrant CW BW Unit
IGT VD=12V, 35 50 mA
VGT RL=33Ω - - MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM - - MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 60 80 mA
- 70 90
IL IG=1.2IGT MAX 80 100 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 1000 1500 V/ µs


4 ربع

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- - 25 50 mA
IGT VD=12V, 50 70 mA
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 60 75 mA
--  70 80
IL IG=1.2IGT MAX 90 100 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 200 500 V/ µs

گرمی مقاومت

Symbol Test Condition Value Unit
TO-220A(Ins 1.5
TO-220F(Ins 1.6
TO-263 2.1 /W
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-3P 0.68
بسته بندی کردن مکانیکی داده ها

YZPST-BTA24-800BW TO-220


محصولات داغ
苏ICP备05018286号-1
ارسال پرس و جو
*
*

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال