ساختار MESA Single To-220f 600V BT152X-600R TRIAC
$0.184000-19999 Piece/Pieces
$0.14≥20000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land,Air |
بندر: | SHANGHAI |
$0.184000-19999 Piece/Pieces
$0.14≥20000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land,Air |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-BT152X-600R
نام تجاری: yzpst
مکان مبداء: چین
IT (RMS): 20A
VRRM: 600V
IT(AV): 13A
ITSM: 200A
IGM: 4A
PGM: 5W
PG(AV): 1W
Tstg: -40--+150℃
Tj: -40--+125℃
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بند بند |
دانلود | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
BT152-600R/800R
ساختار MESA Single To-220f 600V BT152X-600R TRIAC
YZPST-BT152X-600R
ویژگی های محصول
دستگاه یک طرفه سیلیکون NPNP ساختار چهار لایه ،
P+ در جداسازی انتشار ،
ساختار MESA منفرد (MESA Single) ،
فرآیند انفعال شیشه ای میز ،
فلز الکترود پشت (آند): Ti-Ni-Ag
توانایی بالای مقاومت در برابر شوک فعلی
اهداف اصلی
سوئیچ جریان متناوب ،
مبدل قدرت AC DC ،
کنترل گرمایش برقی
کنترل سرعت موتور
● بسته بندی
to-220m1 to-220f
ویژگی اصلی (TJ = 25 ℃)
Symbol | Value | Unit |
IT (RMS) | 20 | A |
VDRM VRRM | 600/800 | V |
IGT | ≤200 | uA |
رتبه بندی مطلق (مقادیر محدود کننده)
Symbol | Parameter | Value | Unit |
IT (RMS) | RMS on-state current (180 °conduction angle) | 20 | A |
IT(AV) | AV on-state current (180 °conduction angle) | 13 | A |
ITSM | Non repetitive surge peak on-state | 200 | A |
Current (tp=10ms) | |||
IGM | Peak gate current(tp=20us) | 4 | A |
PGM | Peak gate power | 5 | W |
PG(AV) | Average gate power | 1 | W |
Tstg | Storage temperature | 110 | ℃ |
Tj | Operating junction temperature | 85 |
مقاومت ترمای
Symbol | Parameter | Value | Unit | |
TO-220M1 | 2.2 | |||
Rth (j-c) | Junction to case | TO-220F | 2.5 | ℃/W |
خصوصیات الکتریکی (TJ = 25 ℃ مگر اینکه در غیر این صورت بیان شده باشد)
Symbol | Test Conditions | Value | Unit | |||
Min | Type | Max | ||||
IGT | VD=12V, RL=33Ω | ---- | 5 | 25 | mA | |
VGT | VD=12V, RL=33Ω | ----- | ----- | 1.3 | V | |
VGD | VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK=1KΩ,Tj=125℃ | 0.2 | ----- | ----- | V | |
IH | IT=500mA | ----- | ----- | 30 | mA | |
IL | IG=1.2IGT | ----- | ----- | 60 | mA | |
dV/dt | VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃ | 500 | v/ μs | |||
----- | ----- | |||||
VTM | IT=30A,tp=380 μs | ----- | ----- | 1.6 | V | |
dI/dt | IG=2IGT | 50 | ----- | ----- | A/μs | |
I2T | Tp=10ms | ----- | ----- | 200 | A2S | |
Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
IDRM | VD=VDRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
Tj=25℃ | ----- | ----- | 10 | μA | ||
IRRM | VR=VRRM | Tj=125℃ | ----- | ----- | 1 | mA |
اندازه بسته
((به-220f))
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.