قیمت ترانزیستور قدرت ترانزیستور SCR با قیمت عالی

قیمت ترانزیستور قدرت ترانزیستور SCR با قیمت عالی

Get Latest Price

نوع پرداخت:	L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:	FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:	Ocean,Air
بندر:	Shanghai

اکنون تماس بگیرید

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

Packaging & Delivery

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

مدل شماره: YZPST-1690-TO-247S

نام تجاری: YZPST

Packaging & Delivery

نوع بسته بندی

1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بسته بندی محافظ پلاستیکی

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

توضیحات محصول

PST1690 سری 90A SCR ها

YZPST-1690-TO-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 s e r i e s o f نماد si l c o n trolled مزبور من F IERS، W ساعت i ام من گرم در ساعت AB من ل همهجا تی شوخ طبعی در ساعت ST د تی ساعت الکترونیکی s h o ck l o a d i n g o f lar g e ج تو R R EN T، P RO V IDE h i g h d v / d t نرخ با آن ها تی R در G مقاومت در برابر م به الکترونیکی LEC تی R O M یک گرم NE تیک من ñ تی E R F و دوباره N c، e را. هفتم الکترونیکی Y دوباره الکترونیکی S P رسما الکترونیکی rec o mm en d e d F O R استفاده o n s o l i d ST یک ته از Rela Y، ماه تی ای بتن مسلح Y ماده، PO W E R c ha r g e r ، T - t oo ls e tc

قیمت ترانزیستور قدرت ترانزیستور SCR با قیمت عالی

A B S O L U TE MA X I MU M R A TINGS

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40-150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40-125	℃
Repetitive peak off-state voltage	VDRM	1600	V
Repetitive peak reverse voltage	VRRM	1600	V
Average on-state current (TC=80℃)	IT(AV)	56	A
RMS on-state current(TC=80℃)	IT(RMS)	90	A
Non repetitive surge peak on-state current (tp=10ms)	ITSM	1250	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	7800	A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)	dI/dt	150	A/μs
Peak gate current	IGM	10	A
Peak gate power	PGM	20	W
Average gate power dissipation(Tj=125℃)	PG(AV)	2	W

E L E C TRICAL نکات CH A R A CTERI S (T J = 25 ℃ U N کمتر O تی ساعت E R W ISE s pe ci f i e d )

Symbol	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Test Condition	MIN.	TYP.	MAX.	Unit
IGT	VD=12V RL=30Ω	10	-	80	mA
VGT	VD=12V RL=30Ω	-	-	1.5	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃	0.25	-	-	V
IL	IG=1.2 IGT	-	-	200	mA
IH	IT=1A	-	-	150	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate Open	1000	-	-	V/μs