خانه> محصولات> بسته پلاستیکی نیمه هادی> یکسو کننده کنترل شده سیلیکون (SCR)> دروازه حساس CR03 1.25A SOT-223-2L SCR
دروازه حساس CR03 1.25A SOT-223-2L SCR
دروازه حساس CR03 1.25A SOT-223-2L SCR
دروازه حساس CR03 1.25A SOT-223-2L SCR
دروازه حساس CR03 1.25A SOT-223-2L SCR
دروازه حساس CR03 1.25A SOT-223-2L SCR

دروازه حساس CR03 1.25A SOT-223-2L SCR

$0.031000-9999 Piece/Pieces

$0.02≥10000Piece/Pieces

نوع پرداخت:L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:Ocean,Air
بندر:Shanghai
ویژگی های محصول

مدل شمارهYZPST-CR03

نام تجاریyzpst

کاربردمیکروفون

نوع عرضهسازنده اصلی, ODM, دیگر

منابع مرجععکس, صفحه داده, مدل های EDA / CAD

نوع بسته بندیسوارکاری سطح

روش نصباز طریق سوراخ, قابل اجرا نیست

تابع FETکاربید سیلیکون (SiC), قابل اجرا نیست

پیکربندیقابل اجرا نیست

TSTG-40 ~ 150 ℃

TJ-40 ~ 125

VDRM1400 ولت

VRRM1400 ولت

VdsmVDRM +100V

آن (RMS)1.25a

این20a

Packaging & Delivery
فروش واحد : Piece/Pieces
نوع بسته بندی : برای اطلاعات بیشتر در مورد اطلاعات و اطلاعات مربوط به معاملات ، لطفاً با آدرس ایمیل ما تماس بگیرید: info@yzpst.com
دانلود :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

توضیحات محصول



CR03 1.25a
اسکله
امکانات
دروازه حساس
محرک مستقیم از درایورهای کم برق و IC های منطق
بسته قابل نصب
برنامه های کاربردی
قطع کننده مدار گسل زمین (GFCI)
تعویض هدف کلی و کنترل فاز
مدارهای احتراق ، CDI برای 2- و 3 چرخ
کنترل موتور - به عنوان مثال لوازم آشپزخانه کوچک
Sensitive Gate SCR



داده های مکانیکی بسته SOT-223-2L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40 ~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

1400

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

1400

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM +100

V

RMS on-state current

IT(RMS)

1.25

A

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

20

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

2.0

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

di/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

1.0

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Maximum device temperature for

solderingPurposes(for 10 seconds maximum)

TL

260

ESD level

HBM

Class 3 (4000-16000V)

 

Humidity sensitive level

MSL

Three-level

(30,60%RH,168h)

Thermal Resistances

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-a)

junction to ambient(DC)

60

 

℃/W

Rth(j-t)

Junction to tab (DC)

25

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃unless otherwise specified)

Symbol

Test Condition

Value

Unit

MIN.

TYP.

MAX.

IGT

V =12V R =140Ω

20

50

100

µA

VGT

-

0.8

1.0

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ

0.2

 

 

V

IL

IG=1.2IGT

-

-

6

mA

IH

IT=50mA

-

-

5

mA

dV/dt

VD=600V ,RGK=1KΩ, Tj=110℃

100

-

-

V/μs

STATIC CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

VTM

ITM =2.5A tp=380μs

Tj =25℃

1.5

V

IDRM

 

VD=VDRM VR=VRRM

Tj =25℃

5

μA

IRRM

Tj =125℃

0.5

mA

SOT-223-2L Package Mechanical Data
Sensitive Gate SCR


محصولات داغ
苏ICP备05018286号-1
ارسال پرس و جو
*
*

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال