$0.452000-19999 Piece/Pieces
$0.35≥20000Piece/Pieces
| نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
| اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
| حمل و نقل: | Ocean,Land,Express,Others |
| بندر: | SHANGHAI |
Share:
مدل شماره: YZPST-7N90A0
نام تجاری: yzpst
مکان مبداء: چین
V DSS: 900V
ID: 7A
PD (TC =25℃): 160W
RDS(ON)TYP: 1.4Ω
A1 IDM: 28A
VGS: ±30V
A2 EAS: 700mJ
A1 EAR: 60mJ
| فروش واحد | : | Piece/Pieces |
| نوع بسته بندی | : | 1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بند بند |
| دانلود | : |
|
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
تست انرژی بهمن پالس 100 ٪ تک
| Symbol | Parameter | Rating | Units |
| V DSS | Drain-to- Source Voltage | 900 | V |
| ID | Continuous Drain Current | 7 | A |
| Continuous Drain Current TC = 100 °C | 5 | A | |
| a1 | Pulsed Drain Current | 28 | A |
| IDM | |||
| VGS | Gate-to-Source Voltage | ±30 | V |
| a2 | Single Pulse Avalanche Energy | 700 | mJ |
| EAS | |||
| a1 | Avalanche Energy , Repetitive | 60 | mJ |
| EAR | |||
| a1 | Avalanche Current | 2.4 | A |
| IAR | |||
| dv/dt | Peak Diode Recovery dv/dt | 5 | V/ns |
| a3 | |||
| PD | Power Dissipation | 160 | W |
| Derating Factor above 25 °C | 1.28 | W/℃ | |
| TJ ，Tstg | Operating Junction and Storage | 150 ，– 55 to 150 | ℃ |
| Temperature Range | |||
| TL | MaximumTemperature for Soldering | 300 | ℃ |
مشخصات الکتریکی cs （tc = 25 ℃ مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد
| OFF Characteristics | ||||||
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Rating | Units | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| V DSS | Drain to Source Breakdown | VGS =0V, I D =250µA | 900 | -- | -- | V |
| Voltage | ||||||
| ΔBVDSS/ ΔTJ | Bvdss Temperature Coefficient | ID=250uA, Reference25℃ | -- | 0.8 | -- | V/℃ |
| VDS = 900V, VGS = 0V, | -- | -- | 1 | |||
| IDSS | Drain to Source Leakage Current | Ta = 25℃ | µ A | |||
| VDS =720V, VGS = 0V, | -- | -- | 250 | |||
| Ta = 125℃ | ||||||
| IGSS( F) | Gate to Source Forward Leakage | VGS = +30V | -- | -- | 10 | µ A |
| IGSS(R ) | Gate to Source Reverse Leakage | VGS =- 30V | -- | -- | -10 | µ A |
| ON Characteristics | ||||||
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Rating | Units | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| RDS(ON) | Drain-to-Source On- Resistance | VGS =10V, I D =3.0A | -- | 1.4 | 1.8 | Ω |
| VGS(TH ) | Gate Threshold Voltage | VDS = VGS, I D = 250µA | 2.5 | -- | 4.5 | V |
| Pulse width tp ≤380µs,δ≤2% | ||||||
| Dynamic Characteristics | ||||||
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Rating | Units | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| gfs | Forward Transconductance | VDS = 15V, I D =3A | -- | 8 | -- | S |
| Ciss | Input Capacitance | -- | 1460 | -- | ||
| Coss | Output Capacitance | VGS = 0V VDS = 25V | -- | 130 | -- | pF |
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | f = 1.0MHz | -- | 23 | -- | |
| Resistive Switching Characteristics | ||||||
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Rating | Units | ||
| Min. | Typ. | Max. | ||||
| td(ON) | Turn-on Delay Time | -- | 22 | -- | ||
| tr | Rise Time | I D =7.0A V DD = 450V | -- | 45 | -- | |
| td(OFF ) | Turn-Off Delay Time | VGS = 10V RG = 9.1Ω | -- | 33 | -- | ns |
| tf | Fall Time | -- | 37 | -- | ||
| Qg | Total Gate Charge | -- | 37 | -- | ||
| Qgs | Gate to Source Charge | I D =7 . 0A V DD =450V | -- | 8 | -- | nC |
| Qgd | Gate to Drain (“ Miller ”)Charge | VGS = 10V | -- | 14 | -- | |
تلفن: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
نشانی: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
سایت اینترنتی: https://fa.yzpst.com
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
Contact Now