خانه> محصولات> بسته پلاستیکی نیمه هادی> ترانزیستور سیلیکون> 1700V M1A045170L SILICON CARBIDE POWER MOSFET TO-247-4L
1700V M1A045170L SILICON CARBIDE POWER MOSFET TO-247-4L
1700V M1A045170L SILICON CARBIDE POWER MOSFET TO-247-4L
1700V M1A045170L SILICON CARBIDE POWER MOSFET TO-247-4L
1700V M1A045170L SILICON CARBIDE POWER MOSFET TO-247-4L
1700V M1A045170L SILICON CARBIDE POWER MOSFET TO-247-4L
1700V M1A045170L SILICON CARBIDE POWER MOSFET TO-247-4L
1700V M1A045170L SILICON CARBIDE POWER MOSFET TO-247-4L

1700V M1A045170L SILICON CARBIDE POWER MOSFET TO-247-4L

$3910-99 Piece/Pieces

$31≥100Piece/Pieces

نوع پرداخت:L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:Ocean,Land,Express,Others
بندر:SHANGHAI
ویژگی های محصول

مدل شمارهYZPST-M1A045170L

نام تجاریyzpst

مکان مبداءچین

VDSmax1700V

VGSmax-10/+25V

VGSop-5/+20V

ID(pluse)160A

PD520W

TJ , Tstg-55 to 175℃

TL260℃

Packaging & Delivery
فروش واحد : Piece/Pieces
نوع بسته بندی : 1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بند بند
دانلود :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

SIC MOSFET M1A045170L
توضیحات محصول
P/N: YZPST-M1A045170L
MOSFET POWER SILICON
(حالت تقویت کانال))
امکانات
سوئیچینگ با سرعت بالا با خازن کم
ولتاژ مسدود کننده بالا با مقاومت کم
رانندگی آسان برای موازی و ساده
مقاوم در برابر قفل کردن
بدون هالوژن ، سازگار با ROHS
فواید
راندمان بالاتر سیستم
کاهش نیازهای خنک کننده
افزایش چگالی قدرت
فرکانس سوئیچینگ سیستم افزایش یافته است
برنامه های کاربردی
اینورترهای خورشیدی
منبع تغذیه حالت سوئیچ
مبدل های ولتاژ DC/DC بالا
درایو موتور
M1A045170L TO-247-4

Part Number

Package

Marking

M1A045170L

TO-247-4L

M1A045170L


بیشترین رتبه بندی (TC = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد)


Symbol Parameter Value Unit Test Conditions Note
VDSmax Drain-Source Voltage 1700 V VGS  = 0 V, ID  = 100 μA  
VGSmax Gate-Source Voltage -0.4 V Absolute maximum values  
VGSop Gate-Source Voltage -0.25 V Recommended operational values  
ID Continuous Drain Current 85 A VGS  = 20 V, TC = 25˚C  
55 VGS  = 20 V, TC = 100˚C
ID(pluse) Pulsed Drain Current 160 A Pulse width tP  limited by Tjmax  
PD Power Dissipation 520 W TC =25˚C, TJ =150℃  
TJ , Tstg Operating Junction and Storage Temperature -55 to 175    
TL Solder Temperature 260 1.6mm (0.063 ”) from case for 10s  
Md Mounting Torque 1 Nn M3 or 6-32 screw  
   
8.8 lbf-in
مشخصات الکتریکی S (TC = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده)
Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit   Test Conditions Note
V(BR)DSS Drain Drain-Source 1700   - V   VGS = 0 V, ID = 100 μA  
 
Breakdown Voltage
    2 2.6 4 V   VDS = VGS, ID = 18mA  
   
VGS(th) Gate threshold Voltage   1.9   V   VDS = VGS, ID = 18mA, TJ =150°C  
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current   2 100 μA   VDS = 1700 V, VGS = 0 V  
IGSS Gate Source Leakage     2 uA   VGS = 20 V, VDS = 0 V  
 
Current
  Drain-Source   34 60 mΩ   VGS = 20 V, ID = 50 A  
   
RDSON On-State Resistance   66     VGS = 20 V, ID = 50A, TJ =150°C  
gfs Transconductance   16       VGS = 20 V, ID = 50A  
 
  19   S   VGS = 20 V, ID = 50A, TJ =150°C  
C Input Capacitance   4078          
oss Output Capacitance   167        
rss Reverse Capacitance   39   pF   VDS =1000V,TJ=25°C,f=1MHz
Eoss Coss Stored Energy   203   μJ      
Eon Turn on Switching Energy   1.9       VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A, Rg(ext) = 2.5Ω,  
     
Eoff Turn off Switching Energy   0.3   mJ   TJ=150°C
tdon Turn on delay time   21        
     
tr Rise time   46       VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A, Rg(ext)= 2.5Ω
tdoff Turn off delay time   50        
tf Fall time   19   ns    
Rgint Internal Gate Resistance   2.6       VAC =25mV, f=1MHz  
Qgs Gate to Source Charge   44       VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A  
Qgd Gate to Drain Charge   84    
Qg Total Gate Charge   248   nC

مشخصات الکتریکی S (TC = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده)

Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit Test Conditions Note
VSD Diode Forward Voltage   6.1 - V VGS = -5 V, ISD = 25 A  
  5.2   VGS = -5 V, ISD = 25 A,TJ =150°C  
I Continuous Diode Forward Current     75 A VGS = -5V, Tc=25°C  
S
trr Reverse Recovery Time   126   ns VR= 1200 V, VGS = -5V, ID = 50A, di/dt=1400A/μS,T=150°C  
Qrr Reverse Recovery Charge   1360   nC
Irrm Peak Reverse Recovery Current   19   A
package TO-247-4

محصولات داغ
苏ICP备05018286号-1
ارسال پرس و جو
*
*

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال