1700V M1A045170L SILICON CARBIDE POWER MOSFET TO-247-4L
$3910-99 Piece/Pieces
$31≥100Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land,Express,Others |
بندر: | SHANGHAI |
$3910-99 Piece/Pieces
$31≥100Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land,Express,Others |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-M1A045170L
نام تجاری: yzpst
مکان مبداء: چین
VDSmax: 1700V
VGSmax: -10/+25V
VGSop: -5/+20V
ID(pluse): 160A
PD: 520W
TJ , Tstg: -55 to 175℃
TL: 260℃
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بند بند |
دانلود | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
Part Number |
Package |
Marking |
M1A045170L |
TO-247-4L |
M1A045170L |
بیشترین رتبه بندی (TC = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد)
Symbol | Parameter | Value | Unit | Test Conditions | Note |
VDSmax | Drain-Source Voltage | 1700 | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA | |
VGSmax | Gate-Source Voltage | -0.4 | V | Absolute maximum values | |
VGSop | Gate-Source Voltage | -0.25 | V | Recommended operational values | |
ID | Continuous Drain Current | 85 | A | VGS = 20 V, TC = 25˚C | |
55 | VGS = 20 V, TC = 100˚C | ||||
ID(pluse) | Pulsed Drain Current | 160 | A | Pulse width tP limited by Tjmax | |
PD | Power Dissipation | 520 | W | TC =25˚C, TJ =150℃ | |
TJ , Tstg | Operating Junction and Storage Temperature | -55 to 175 | ℃ | ||
TL | Solder Temperature | 260 | ℃ | 1.6mm (0.063 ”) from case for 10s | |
Md | Mounting Torque | 1 | Nn | M3 or 6-32 screw | |
8.8 | lbf-in |
Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Unit | Test Conditions | Note | |
V(BR)DSS | Drain Drain-Source | 1700 | - | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA | |||
Breakdown Voltage | ||||||||
2 | 2.6 | 4 | V | VDS = VGS, ID = 18mA | ||||
VGS(th) | Gate threshold Voltage | 1.9 | V | VDS = VGS, ID = 18mA, TJ =150°C | ||||
IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | 2 | 100 | μA | VDS = 1700 V, VGS = 0 V | |||
IGSS | Gate Source Leakage | 2 | uA | VGS = 20 V, VDS = 0 V | ||||
Current | ||||||||
Drain-Source | 34 | 60 | mΩ | VGS = 20 V, ID = 50 A | ||||
RDSON | On-State Resistance | 66 | VGS = 20 V, ID = 50A, TJ =150°C | |||||
gfs | Transconductance | 16 | VGS = 20 V, ID = 50A | |||||
19 | S | VGS = 20 V, ID = 50A, TJ =150°C | ||||||
C | Input Capacitance | 4078 | ||||||
oss | Output Capacitance | 167 | ||||||
rss | Reverse Capacitance | 39 | pF | VDS =1000V,TJ=25°C,f=1MHz | ||||
Eoss | Coss Stored Energy | 203 | μJ | |||||
Eon | Turn on Switching Energy | 1.9 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A, Rg(ext) = 2.5Ω, | |||||
Eoff | Turn off Switching Energy | 0.3 | mJ | TJ=150°C | ||||
tdon | Turn on delay time | 21 | ||||||
tr | Rise time | 46 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A, Rg(ext)= 2.5Ω | |||||
tdoff | Turn off delay time | 50 | ||||||
tf | Fall time | 19 | ns | |||||
Rgint | Internal Gate Resistance | 2.6 | VAC =25mV, f=1MHz | |||||
Qgs | Gate to Source Charge | 44 | VDS = 1200 V, VGS = -5/20 V, ID = 50A | |||||
Qgd | Gate to Drain Charge | 84 | ||||||
Qg | Total Gate Charge | 248 | nC |
مشخصات الکتریکی S (TC = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده)
Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Unit | Test Conditions | Note |
VSD | Diode Forward Voltage | 6.1 | - | V | VGS = -5 V, ISD = 25 A | ||
5.2 | VGS = -5 V, ISD = 25 A,TJ =150°C | ||||||
I | Continuous Diode Forward Current | 75 | A | VGS = -5V, Tc=25°C | |||
S | |||||||
trr | Reverse Recovery Time | 126 | ns | VR= 1200 V, VGS = -5V, ID = 50A, di/dt=1400A/μS,, TJ =150°C | |||
Qrr | Reverse Recovery Charge | 1360 | nC | ||||
Irrm | Peak Reverse Recovery Current | 19 | A |
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.