ساختار محرک حساسیت چهارم سومین ساختار TO-126 2N6075B TRIACS

Description

symbol

value

unit

Repetitive  paek  off-state voltage

(Tj =  -40   ~ 125℃ )

Half sine wave  50 Hz,  gate  open

-6075B

V DRM

VRRM

600

600

V

Nominal  RMS  on-state  current

Full  sine wave  5 0  Hz

IT(RMS)

4

A

Non-repetitive  peak  surge  current

(junction temperature  Tj  = 2 5℃ )

One  cycle  5 0  Hz

ITSM

30

A

Fuse  current

(t  =  8.3  ms)

2

I t

3.7

A2s

Gate  average  power

(TC  =  8 0℃ , t  =  8.3  ms)

PG(AV)

0.5

W

Gate  peak  current

(t ≤ 2.0 μ  s)

IGM

1

A

Work junction temperature

TJ

-40~ 110

℃

Storage temperature

Tstg

-40~150

℃

Description

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance   ( junction to case)

Rj C

3.5

℃/W

Thermal resistance   ( junction to ambient )

Rj A

75

℃//W

Description

Symbol

Min

Type

Max

Unit

Repetitive  paek  off-state  current

(VD  =  Rated VDRM ,VR RM gate  open  )

Tj  = 2 5 ℃

Tj  =  1 1 0 ℃

IDRM, IRRM

-

-

10

2

uA mA

Peak  on-state Voltage

(IT  = 6 A)

VT

-

2

V

Gate trigger current

(VD  =  1 2  V,  RL  = 3 0 Ω  )

MT 2 ( +) ,  G( +)

MT2 (+),  G(- )

MT2 (- ),  G(- )

MT2 (- ),  G( + )                                                  - - - B

IGT

-

-

-

-

-

-

-

3

3

3

5

mA

Gate trigger voltage

(VD  =  1 2  V,  RL  = 3 0 Ω  )

All  se rises

VGT

-

1.4

2.5

V

Gate  non-trigger voltage

(VD  =  1 2  V,  RL  = 3 0 Ω  , Tj  =  1 1 0 校 )

All  se rises

VGD

0.2

-

-

V

Hold  current

(Candution  current     IT= 100mA)

Tj  = 2 5 ℃

Tj  =  1 1 0  ℃

IH

-

-

-

-

15

30

mA

Critical Rate-of-Rise of Off-state Voltage

VDM=1/2VDRM, Tj=110 °C RGK=1KΩ

dv/dt

5

-

V/uS