ماژول قدرت IGBT YZPST 1200V 150B120F23 IGBT

ماژول قدرت IGBT YZPST 1200V 150B120F23 IGBT

Name: ماژول IGBT 1200V150A 150B120F23
Uploaded: 2023-05-05T06:45:23+08:00
Description: ماژول IGBT 1200V150A 150B120F23

$31.510-99 Piece/Pieces

$23.5≥100Piece/Pieces

نوع پرداخت:	L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:	FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:	Ocean,Land
بندر:	SHANGHAI

Option:

VCES:1200V
IC:150A
ICRM:300A
VGES:±20V
Ptot::968W

اکنون تماس بگیرید

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

مدل شماره: YZPST-150B120F23

نام تجاری: yzpst

مکان مبداء: چین

در مقابل: 1200 ولت, ± 20 ولت

IC: 150A

ICRM: 300A

Ptot: 968W

Packaging & Delivery

فروش واحد	:	Piece/Pieces
نوع بسته بندی	:	1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بند بند
دانلود	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

ماژول IGBT 1200V150A 150B120F23



توضیحات محصول

ماژول قدرت IGBT YZPST-150B120F23

VCE = 1200V IC = 150a

برنامه
اینورتر برای درایو موتور
تقویت کننده درایو AC و DC Servo
UPS (منبع تغذیه بدون وقفه)
دستگاه جوشکاری سوئیچینگ نرم
ویژگی
کم VCE (SAT) با فناوری توقف میدان سنگر
VCE (SAT) با ضریب دمای مثبت
از جمله FWD ضد موازی بازیابی سریع و نرم
قابلیت مدار کوتاه بالا (10us)
ساختار ماژول القایی کم

حداکثر دمای اتصال 175

مطلق حداکثر رتبه بندی

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Collector-Emitter Voltage	VCES	VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃	1200	V
Continuous Collector Current	IC	Tc=100℃	150	A
Peak Collector Current	ICRM	tp=1ms	300	A
Gate-Emitter Voltage	VGES	Tvj=25℃	±20	V
Total Power Dissipation (IGBT-inverter)	Ptot	Tc=25℃ Tvjmax=175℃	968	W

خصوصیات IGBT

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage	VGE(th)	VGE=VCE, IC =4mA,Tvj=25℃	5.2	6	6.8	V
		VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25℃			1	mA
Collector-Emitter Cut-off Current	ICES	VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125℃			5	mA
Collector-Emitter		Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25℃		1.8	2.1	V
Saturation Voltage	VCE(sat)	Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125℃		2		V
Input Capacitance	Cies			9.8		nF
Output Capacitance	Coes	VCE=25V,VGE =0V,		0.82		nF
Reverse Transfer Capacitance	Cres	f=1MHz, Tvj=25℃		0.48		nF
Internal Gate Resistance	Rgint			2.5		Ω
Turn-on Delay Time	td(on)			185		Ns
Turn-on Delay Time	td(on)			185		Ns
Rise Time	tr	IC =150 A		55		Ns
Turn-off Delay Ttime	td(off)	VCE = 600 V		360		Ns
Fall Time	tf	VGE = ±15V		115		Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	RG = 5.1Ω		15.4		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff	Tvj=25℃		11.6		mJ
Turn-on Delay Time	td(on)			200		Ns


Rise Time	tr	IC =150 A		60		Ns
Turn-off Delay Time	td(off)	VCE = 600 V		420		Ns
Fall Time	tf	VGE = ±15V		120		Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	RG =5.1Ω		23.2		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff	Tvj=125℃		17		mJ
		Tp≤10us,VGE=15V,
SC Data	Isc	Tvj=150℃,Vcc=600V,		500		A
		VCEM≤1200V

خصوصیات دیود

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Diode DC Forward Current	IF	Tc=100℃		150		A
Diode Peak Forward Current	IFRM			300		A
		IF=150A,Tvj=25℃		1.8	2.3	V
Forward Voltage	VF	IF=150A,Tvj=125℃		1.85		V

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Recovered Charge	Qrr			13.4		uC

		IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current	Irr	VR=600V		143		A
Reverse Recovery Time	trr	-diF/dt =2200A/us		160		ns
Reverse Recovery Energy	Erec	Tvj=25℃		9.1		mJ
Recovered Charge	Qrr			26.1		uC

		IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current	Irr	VR=600V		178		A
Reverse Recovery Time	trr	-diF/dt =2200A/us		440		ns
Reverse Recovery Energy	Erec	Tvj=125℃		15.4		mJ

ویژگی های ماژول t c = 25 ° C مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد

Parameter	Symbol	Conditions	Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
Isolation voltage	Visol	t=1min,f=50Hz	2500			V
Maximum Junction Temperature	Tjmax				150	℃
Operating Junction Temperature	Tvjop		-40		125	℃
Storage Temperature	Tstg		-40		125	℃
		per IGBT-inverter			0.155	K/W
Junction-to Case	R θjc	per Diode-inverter			0.292	K/W
Case to Sink	R θcs	Conductive grease applied		0.05		K/W
Module ElectrodesTorque	Mt	Recommended(M5)	2.5		5	N·m
Module-to-SinkTorque	Ms	Recommended(M6)	3		5	N·m
Weight of Module	G			150		g