1700V 600A سوئیچ های تک 62 میلی متر ماژول منفرد

Name: YZPST-FZ600R17KE4
Uploaded: 2024-08-23T09:00:18+08:00
Description: YZPST-FZ600R17KE4

$7310-49 Piece/Pieces

$52≥50Piece/Pieces

Option:

اکنون تماس بگیرید

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

مدل شماره: YZPST-FZ600R17KE4

نام تجاری: yzpst

مکان مبداء: چین

IC TC=100°C: 600A

VCES: 1700V

در مقابل: ± 30 ولت

IC TC = 25 درجه سانتیگراد: 1200a

PD: 2660W

Tsc: >10µs

Packaging & Delivery

فروش واحد	:	Piece/Pieces
نوع بسته بندی	:	1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بند بند

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

توضیحات محصول

P/N: YZPST-FZ600R17KE4

سوئیچ های 1700V/600ASINGLE

ویژگی ها

1700V600A ، VCE (SAT) (تایپ) = 3.0V

سرعت سوئیچینگ فوق العاده سریع

ناهمواری کوتاه عالی عالی

ماژول تک 62 میلی متر

برنامه های عمومی

IGBT های Daxin سرعت سوئیچینگ Ultrafast را برای کاربردهایی مانند جوشکاری ، استقرا ارائه می دهند

گرمایش ، UPS و سایر برنامه های فرکانس بالا

مطلق حداکثر رتبه بندی o f igbt

VCES	Collector to Emitter Voltage		1700	V
VGES	Continuous Gate to Emitter Voltage		±30	V
IC	Continuous Collector Current	TC = 25°C	1200	A
IC	Continuous Collector Current	TC = 100°C	600	A
ICM	Pulse Collector Current	TJ = 150°C	1200	A
PD	Maximum Power Dissipation (IGBT)	TC = 25°C, TJ = 150°C	2660	W
tsc	Short Circuit Withstand Time		> 10	µs
TJ	Maximum IGBT Junction Temperature		150	°C
TJOP	Maximum Operating Junction Temperature Range		-40 to +150	°C
Tstg	Storage Temperature Range		-40 to +125	°C

مطلق حداکثر رتبه بندی های Heeling Freew دیود

VRRM	Repetitive Peak Reverse Voltage Preliminary Data		1700	V
IF	Diode Continuous Forward Current	TC = 25°C	1200	A
		TC = 100°C	600
IFM	Diode Maximum Forward Current		1200	A

برق خصوصیات از igbt در TJ = 25 درجه سانتیگراد ( مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده )

Parameter		Test Conditions		Min	Typ	Max	Unit
BVCES	Collector to Emitter Breakdown Voltage	VGE = 0V, IC = 1mA		1700			V
ICES	Collector to Emitter Leakage Current	VGE = 0V,VCE = VCES				5	mA
IGES	Gate to Emitter Leakage Current	VGE = ±30V, VCE = 0V				400	nA
VGE(th)	Gate Threshold Voltage	IC = 1mA, VCE = VGE		4.5		5.7	V
VCE(sat)	Collector to Emitter Saturation Voltage (Module Level)	IC = 600A, VGE = 15V	TJ = 25°C		3.00	3.20	V
VCE(sat)	Collector to Emitter Saturation Voltage (Module Level)	IC = 600A, VGE = 15V	TJ = 125°C		3.60		V