خانه> محصولات> دستگاه های ماژول نیمه هادی> ماژول igbt> قابلیت مدار کوتاه بلند 650V ماژول قدرت IGBT 200A
قابلیت مدار کوتاه بلند 650V ماژول قدرت IGBT 200A
قابلیت مدار کوتاه بلند 650V ماژول قدرت IGBT 200A
قابلیت مدار کوتاه بلند 650V ماژول قدرت IGBT 200A
قابلیت مدار کوتاه بلند 650V ماژول قدرت IGBT 200A
قابلیت مدار کوتاه بلند 650V ماژول قدرت IGBT 200A
قابلیت مدار کوتاه بلند 650V ماژول قدرت IGBT 200A

قابلیت مدار کوتاه بلند 650V ماژول قدرت IGBT 200A

$3310-99 Piece/Pieces

$25≥100Piece/Pieces

نوع پرداخت:L/C,Paypal
اینکوترم:FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:Ocean,Land
بندر:SHANGHAI
ویژگی های محصول

مدل شمارهYZPST-SKM195GB066D

نام تجاریyzpst

مکان مبداءچین

VCES650V

IC200A

ICRM400A

در مقابل± 20 ولت

Ptot695W

Packaging & Delivery
فروش واحد : Piece/Pieces
نوع بسته بندی : 1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بند بند
مثال تصویر :
دانلود :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

ماژول IGBT SKM195GB066D
توضیحات محصول

نوع ماژول قدرت IGBT: YZPST-SKM195GB066D

برنامه

اینورتر برای درایو موتور

تقویت کننده درایو AC و DC Servo

UPS (منبع تغذیه بدون وقفه)

دستگاه جوشکاری سوئیچینگ نرم

ویژگی

کم VCE (SAT) با فناوری توقف میدان سنگر

VCE (SAT) با ضریب دمای مثبت

از جمله FWD ضد موازی بازیابی سریع و نرم

قابلیت مدار کوتاه بالا (10us)

ساختار ماژول القایی کم

حداکثر دمای اتصال 175

IGBT

مطلق حداکثر رتبه بندی

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

650

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

200

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

400

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

695

W

خصوصیات IGBT

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =3.2mA,Tvj=25 5.1 5.8 6.3 V
    VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25     1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125     5 mA
Collector-Emitter   Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25   1.45 1.95 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125   1.65   V
Input Capacitance Cies VCE=25V,VGE =0V,   12.3   nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25   0.37   nF
Internal Gate Resistance Rgint     1   Ω
Turn-on Delay Time td(on)     48   Ns
 
Rise Time tr IC =200 A   48   Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE =300 V   348   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   58   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 3.6Ω   2.32   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25   5.85   mJ
Turn-on Delay Time td(on)     48   Ns
 
 
Rise Time tr IC =200 A   48   Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 300V   364   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   102   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =3.6Ω   3.08   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125   7.92   mJ
SC Data Isc Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150 , Vcc=300V,VCEM≤650V   1000   A

خصوصیات دیود

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Diode DC Forward Current IF Tc=100   200   A
Diode Peak Forward Current IFRM     400   A
    IF=200A,Tvj=25   1.55 1.95 V
Forward Voltage VF IF=200A,Tvj=125   1.5   V
Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Recovered Charge Qrr     8.05   uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us   148   A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25   1.94   mJ
Recovered Charge Qrr     16.9   uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us   186   A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125   3.75   mJ

ویژگی های ماژول Stics t C = 25 ° C مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500     V
Maximum Junction Temperature Tjmax       150
Operating Junction Temperature Tvj op   -40   125
Storage Temperature Tstg   -40   125
    per IGBT-inverter     0.19 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter     0.31 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied   0.085   K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5   5 N · m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3   5 N · m
Weight of Module G     150   g

بسته بندی کردن ابعاد

YZPST-SKM195GB066D Package Dimensions

محصولات داغ
خانه> محصولات> دستگاه های ماژول نیمه هادی> ماژول igbt> قابلیت مدار کوتاه بلند 650V ماژول قدرت IGBT 200A
苏ICP备05018286号-1
ارسال پرس و جو
*
*

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال