خانه> محصولات> دستگاه های ماژول نیمه هادی> ماژول igbt> سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT
سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT
سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT
سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT
سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT
سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT
سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT
سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT

سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT

$1655-49 Piece/Pieces

$135≥50Piece/Pieces

نوع پرداخت:L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:Ocean,Land
بندر:SHANGHAI
ویژگی های محصول

مدل شمارهYZPST-G900WB120B6TC

نام تجاریyzpst

مکان مبداءچین

در مقابل1200 ولت, ± 20 ولت

IC TC=25℃880A

IC TC=95℃900A

ICM1200A

Ptot3125W

IF(AV)900A

Packaging & Delivery
فروش واحد : Piece/Pieces
نوع بسته بندی : 1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بند بند
مثال تصویر :
دانلود :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

ماژول IGBT G900WB120B6TC
توضیحات محصول

ماژول IGBT 1200V 900A

P/N: YZPST-G900WB120B6TC

تولید - محصول امکانات

تراشه IGBT (سنگر+FS)

ولتاژ اشباع کم و ضریب دمای مثبت

سوئیچینگ سریع و جریان دم کوتاه

دیودهای چرخدار رایگان با بازیابی معکوس سریع و نرم

حس دما شامل

برنامه های کاربردی

کنترل موتور AC

حرکت/کنترل سروو

اینورتر و منبع تغذیه

سلول فتوولتائیک/سوخت

YZPST-G900WB120B6TC IGBT Module


حداکثر رتبه بندی IGBT-ABSOLUTE ( T c = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده )

Symbol Parameter/Test Conditions Values Unit
VCES Collector Emitter Voltage TJ=25 1200 V
VGES Gate Emitter Voltage ±20
IC DC Collector Current TC=25, TJmax =175 880
TC=95, TJmax =175 900 A
ICM Repetitive Peak Collector Current tp=1ms 1200
Ptot Power Dissipation Per IGBT TC=25, TJmax =175 3125 W


حداکثر رتبه های دیود-کولوت ( T c = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده )

Symbol Parameter/Test Conditions Values Unit
VRRM Repetitive Reverse Voltage TJ=25 1200 V
IF(AV) Average Forward Current 900 A
IFRM Repetitive Peak Forward Current tp=1ms 1200
I2t TJ =150, t=10ms, VR=0V 45 kA2s

igbt verserter

خصوصیات الکتریکی ( T c = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده )

Symbol Parameter/Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
VGE(th) Gate Emitter Threshold Voltage VCE=VGE , IC=24mA 5 5.8 6.5
Collector Emitter IC=900A, VGE=15V, TJ=25 1.9 2.3
VCE(sat) Saturation Voltage IC=900A, VGE=15V, TJ=125 2.2 V
IC=900A, VGE=15V, TJ=150 2.25
ICES Collector Leakage Current VCE=1200V, VGE=0V, TJ=25 1 mA
VCE=1200V, VGE=0V, TJ=150 10
IGES Gate Leakage Current VCE=0V,VGE=±20V, TJ=25 -400 400 nA
RGint Integrated Gate Resistor 0.7
Qg Gate Charge VCE=900V, IC=900A , VGE=15V 3.1 µC
Cies Input Capacitance VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz 43.2 nF
Cres Reverse Transfer Capacitance 2.07 nF
td(on) Turn on Delay Time VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω , TJ=25 100 ns
VGE=±15V, TJ=150 110 ns
tr Rise Time Inductive Load TJ=25 85 ns
TJ=150 95 ns
td(off) Turn off Delay Time VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω , TJ=25 530 ns
VGE=±15V, TJ=150 580 ns
tf Fall Time Inductive Load TJ=25 65 ns
TJ=150 215 ns
TJ=25 55 mJ
Eon Turn on Energy TJ=125 85 mJ
VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω , TJ=150 95 mJ
VGE=±15V, TJ=25 45 mJ
Eoff Turn off Energy Inductive Load TJ=125 58 mJ
TJ=150 63 mJ
ISC Short Circuit Current tpsc10µs , VGE=15V 2200 A
TJ=150,VCC=800V
RthJC Junction to Case Thermal Resistance  Per IGBT 0.048 K /W

طرح کلی

Package Outline Jpg



محصولات داغ
خانه> محصولات> دستگاه های ماژول نیمه هادی> ماژول igbt> سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT
苏ICP备05018286号-1
ارسال پرس و جو
*
*

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال