سوئیچینگ سریع و دم کوتاه جریان 1200V 900A ماژول IGBT
$1655-49 Piece/Pieces
$135≥50Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land |
بندر: | SHANGHAI |
$1655-49 Piece/Pieces
$135≥50Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-G900WB120B6TC
نام تجاری: yzpst
مکان مبداء: چین
در مقابل: 1200 ولت, ± 20 ولت
IC TC=25℃: 880A
IC TC=95℃: 900A
ICM: 1200A
Ptot: 3125W
IF(AV): 900A
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بند بند |
مثال تصویر | : | |
دانلود | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
ماژول IGBT 1200V 900A
P/N: YZPST-G900WB120B6TC
تولید - محصول امکانات
تراشه IGBT (سنگر+FS)
ولتاژ اشباع کم و ضریب دمای مثبت
سوئیچینگ سریع و جریان دم کوتاه
دیودهای چرخدار رایگان با بازیابی معکوس سریع و نرم
حس دما شامل
برنامه های کاربردیکنترل موتور AC
حرکت/کنترل سروو
اینورتر و منبع تغذیه
سلول فتوولتائیک/سوخت
حداکثر رتبه بندی IGBT-ABSOLUTE ( T c = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده )
Symbol | Parameter/Test Conditions | Values | Unit | |
VCES | Collector Emitter Voltage | TJ=25℃ | 1200 | V |
VGES | Gate Emitter Voltage | ±20 | ||
IC | DC Collector Current | TC=25℃, TJmax =175℃ | 880 | |
TC=95℃, TJmax =175℃ | 900 | A | ||
ICM | Repetitive Peak Collector Current | tp=1ms | 1200 | |
Ptot | Power Dissipation Per IGBT | TC=25℃, TJmax =175℃ | 3125 | W |
حداکثر رتبه های دیود-کولوت ( T c = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده )
Symbol | Parameter/Test Conditions | Values | Unit | |
VRRM | Repetitive Reverse Voltage | TJ=25℃ | 1200 | V |
IF(AV) | Average Forward Current | 900 | A | |
IFRM | Repetitive Peak Forward Current | tp=1ms | 1200 | |
I2t | TJ =150℃, t=10ms, VR=0V | 45 | kA2s |
igbt verserter
خصوصیات الکتریکی ( T c = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده )
Symbol | Parameter/Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit | ||
VGE(th) | Gate Emitter Threshold Voltage | VCE=VGE , IC=24mA | 5 | 5.8 | 6.5 | ||
Collector Emitter | IC=900A, VGE=15V, TJ=25℃ | 1.9 | 2.3 | ||||
VCE(sat) | Saturation Voltage | IC=900A, VGE=15V, TJ=125℃ | 2.2 | V | |||
IC=900A, VGE=15V, TJ=150℃ | 2.25 | ||||||
ICES | Collector Leakage Current | VCE=1200V, VGE=0V, TJ=25℃ | 1 | mA | |||
VCE=1200V, VGE=0V, TJ=150℃ | 10 | ||||||
IGES | Gate Leakage Current | VCE=0V,VGE=±20V, TJ=25℃ | -400 | 400 | nA | ||
RGint | Integrated Gate Resistor | 0.7 | Ω | ||||
Qg | Gate Charge | VCE=900V, IC=900A , VGE=15V | 3.1 | µC | |||
Cies | Input Capacitance | VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz | 43.2 | nF | |||
Cres | Reverse Transfer Capacitance | 2.07 | nF | ||||
td(on) | Turn on Delay Time | VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω , | TJ=25℃ | 100 | ns | ||
VGE=±15V, | TJ=150℃ | 110 | ns | ||||
tr | Rise Time | Inductive Load | TJ=25℃ | 85 | ns | ||
TJ=150℃ | 95 | ns | |||||
td(off) | Turn off Delay Time | VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω , | TJ=25℃ | 530 | ns | ||
VGE=±15V, | TJ=150℃ | 580 | ns | ||||
tf | Fall Time | Inductive Load | TJ=25℃ | 65 | ns | ||
TJ=150℃ | 215 | ns | |||||
TJ=25℃ | 55 | mJ | |||||
Eon | Turn on Energy | TJ=125℃ | 85 | mJ | |||
VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω , | TJ=150℃ | 95 | mJ | ||||
VGE=±15V, | TJ=25℃ | 45 | mJ | ||||
Eoff | Turn off Energy | Inductive Load | TJ=125℃ | 58 | mJ | ||
TJ=150℃ | 63 | mJ | |||||
ISC | Short Circuit Current | tpsc≤10µs , VGE=15V | 2200 | A | |||
TJ=150℃,VCC=800V | |||||||
RthJC | Junction to Case Thermal Resistance (Per IGBT) | 0.048 | K /W |
طرح کلی
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.