$1605-49 Piece/Pieces
$120≥50Piece/Pieces
| نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
| اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
| حمل و نقل: | Ocean,Land,Express,Others |
| بندر: | SHANGHAI |
Share:
مدل شماره: YZPST-GD450HFX170C6S
نام تجاری: yzpst
مکان مبداء: چین
VCES: 1700V
در مقابل: ± 20 ولت
ICM: 900a
PD: 2542W
VRRM: 1700V
IF: 450A
IFM: 900A
| فروش واحد | : | Piece/Pieces |
| نوع بسته بندی | : | 1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. نوار |
| مثال تصویر | : |
|
| دانلود | : |
|
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
ماژول igbt
ماژول قدرت IGBT فوق العاده را فراهم می کند
از بین رفتن کم هدایت و همچنین ناهمواری مدار کوتاه.
آنها برای برنامه هایی مانند طراحی شده اند
اینورترها و یو پی اس های عمومی.
امکانات
فن آوری IGBT سنگر پایین VCE (SAT)
قابلیت مدار کوتاه 10μs
VCE (SAT) با ضریب دمای مثبت
حداکثر دمای اتصال 175oc
مورد القاء کم
FWD ضد موازی بازیابی سریع و نرم
پایه مس جدا شده با استفاده از فناوری DBC
معمول برنامه های کاربردی
اینورتر برای درایو موتور
تقویت کننده درایو AC و DC Servo
منبع تغذیه اضطراری
igbt
|
Symbol |
Description |
Value |
Unit |
|
VCES |
Collector-Emitter Voltage |
1700 |
V |
|
VGES |
Gate-Emitter Voltage |
±20 |
V |
|
IC |
Collector Current @ TC=25oC @ TC= 100oC |
706 450 |
A |
|
ICM |
Pulsed Collector Current tp=1ms |
900 |
A |
|
PD |
|
2542 |
W |
|
Symbol |
Description |
Value |
Unit |
|
VRRM |
Repetitive Peak Reverse Voltage |
1700 |
V |
|
IF |
Diode Continuous Forward Current |
450 |
A |
|
IFM |
Diode Maximum Forward Current tp=1ms |
900 |
A |
|
Symbol |
Description |
Value |
Unit |
|
Tjmax |
Maximum Junction Temperature |
175 |
oC |
|
Tjop |
Operating Junction Temperature |
-40 to +150 |
oC |
|
TSTG |
Storage Temperature Range |
-40 to +125 |
oC |
|
VISO |
Isolation Voltage RMS,f=50Hz,t=1min |
4000 |
V |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC | 1.85 | 2.2 | ||||
| VCE(sat) | Collector to Emitter | IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC | 2.25 | V | ||
| Saturation Voltage | IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC | 2.35 | ||||
| VGE(th) | Gate-Emitter Threshold Voltage | IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
| ICES | Collector Cut-Off | VCE=VCES,VGE=0V, | 5 | mA | ||
| Current | Tj=25oC | |||||
| IGES | Gate-Emitter Leakage Current | VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC | 400 | nA | ||
| RGint | Internal Gate Resistance | 1.67 | Ω | |||
| Cies | Input Capacitance | VCE=25V,f=1MHz, | 54.2 | nF | ||
| Cres | Reverse Transfer | VGE=0V | 1.32 | nF | ||
| Capacitance | ||||||
| QG | Gate Charge | VGE=- 15…+15V | 4.24 | μC | ||
| td(on) | Turn-On Delay Time | 179 | ns | |||
| tr | Rise Time | 105 | ns | |||
| td(off) | Turn-Off Delay Time | VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC | 680 | ns | ||
| tf | Fall Time | 375 | ns | |||
| Eon | Turn-On Switching | 116 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Turn-Off Switching | 113 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| td(on) | Turn-On Delay Time | 208 | ns | |||
| tr | Rise Time | 120 | ns | |||
| td(off) | Turn-Off Delay Time | VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC | 784 | ns | ||
| tf | Fall Time | 613 | ns | |||
| Eon | Turn-On Switching | 152 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Turn-Off Switching | 171 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| td(on) | Turn-On Delay Time | 208 | ns | |||
| tr | Rise Time | 120 | ns | |||
| td(off) | Turn-Off Delay Time | VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC | 800 | ns | ||
| tf | Fall Time | 720 | ns | |||
| Eon | Turn-On Switching | 167 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| Eoff | Turn-Off Switching | 179 | mJ | |||
| Loss | ||||||
| tP≤10μs,VGE=15V, | ||||||
| ISC | SC Data | Tj=150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V | 1800 | A |
| Symbol | Parameter | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Diode Forward | IF=450A,VGE=0V,Tj=25oC | 1.8 | 2.25 | |||
| VF | Voltage | IF=450A,VGE=0V,Tj= 125oC | 1.95 | V | ||
| IF=450A,VGE=0V,Tj= 150oC | 1.9 | |||||
| Qr | Recovered Charge | VR=900V,IF=450A, | 105 | μC | ||
| IRM | Peak Reverse | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC | 198 | A | ||
| Recovery Current | ||||||
| Erec | Reverse Recovery Energy | 69 | mJ | |||
| Qr | Recovered Charge | VR=900V,IF=450A, | 187 | μC | ||
| IRM | Peak Reverse | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15V Tj= 125oC | 578 | A | ||
| Recovery Current | ||||||
| Erec | Reverse Recovery Energy | 129 | mJ | |||
| Qr | Recovered Charge | VR=900V,IF=450A, | 209 | μC | ||
| IRM | Peak Reverse | -di/dt=4580A/μs,VGE=- 15V Tj= 150oC | 585 | A | ||
| Recovery Current | ||||||
| Erec | Reverse Recovery Energy | 150 | mJ |
تلفن: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
نشانی: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
سایت اینترنتی: https://fa.yzpst.com
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
Contact Now