تریستور اینورتر قدرت بالا C458PB

Get Latest Price

نوع پرداخت:	L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:	FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:	Ocean,Air
بندر:	SHANGHAI

اکنون تماس بگیرید

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

Packaging & Delivery

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

مدل شماره: YZPST-C458PB

نام تجاری: YZPST

Packaging & Delivery

نوع بسته بندی

1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بسته بندی محافظ پلاستیکی

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

توضیحات محصول

تریستور با قدرت بالا

YZPST-DCR1020SF65-1

استفاده از تریستور کنترل تریستور موتور تریستور فشار تریستور دستگاه مونتاژ فشار همه درجه بندی ها برای Tj = 25 oC مشخص شده است مگر اینکه خلاف گفته شود.

(1) تمام رتبه های ولتاژ برای شکل موج سینوسی 50Hz / 60zHz در محدوده دما -40 تا +125 درجه سانتیگراد تعیین شده است.

(2) 10 میلی ثانیه حداکثر عرض پالس

(3) حداکثر مقدار برای Tj = 125 درجه سانتیگراد.

(4) حداقل مقدار برای شکل موج خطی و نمایی تا 80٪ VDRM دارای امتیاز. دروازه باز Tj = 125 درجه سانتیگراد

(5) ارزش غیر تکراری

(6) مقدار di / dt مطابق با استاندارد EIA / NIMA RS-397 ، بخش 5-2-2-6 تعیین می شود. مقدار تعریف شده به صورت اضافی خواهد بود

چیزی که از مدار شنیب به دست می آید ، شامل یک خازن 0.2 F و مقاومت 20 اهم به موازات تریستور مورد آزمایش.

ویژگی ها: همه ساختار پراکنده . مرکز تقویت پیکربندی دروازه . مسدود کردن قابلیت تا 4200 ولت

. تضمین حداکثر خاموش زمان. قابلیت dV / dt بالا . دستگاه مونتاژ فشار

High Power Thyristor

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		640		A	Sinewave,180o conduction,T =60oC c
RMS value of on-state current	ITRMS		1005		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	ITSM		- 8.5		KA KA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, T = 125 j oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, T = 125 j oC
I square t	I2t		0.36x106		A2s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	IL		600		mA	VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		200		mA	VD = 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		3.6		V	ITM = 1800 A; Duty cPSTCle 0.01%; T = 25 oC j
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ s	Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		100		A/ s	Switching from VDRM 1000 V

E L E CTR I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		150		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		-		A
Gate current required to trigger all units	IGT		- 300 -		mA mA mA	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +25 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +125oC D L j
Gate voltage required to trigger all units	V		- 3.0 -		V V V	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = 0-125oC D L j VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; T = + 125 oC j
Peak negative voltage	VGRM		5		V

G a t i n g

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		150		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		-		A
Gate current required to trigger all units	IGT		- 300 -		mA mA mA	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +25 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +125oC D L j
Gate voltage required to trigger all units	V		- 3.0 -		V V V	V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = 0-125oC D L j VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; T = + 125 oC j
Peak negative voltage	VGRM		5		V

D y n a m i c

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

0.5

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 s; tp = 20 s

Turn-off time (with VR = -50 V)

600

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ s;

VR -50 V; Re-applied dV/dt = 20

V/ s linear to 80% VDRM; VG = 0;

T = 125 oC; Duty cPSTCle

0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ s; VR -50 V

* F o r گو، R یک صندوق N تی m a x v a lu e ، c روی t a c t f a c t o r y .

T H E R M A L A N D ME CH A N I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	Tj	-40	+125		oC
Storage temperature	Tstg	-40	+125		oC
Thermal resistance - junction to case	R (j-c)		0.022 0.052		o C/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R (c-s)		0.004 0.008		o C/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistamce - junction to sink	R (j-s)		- -		o C/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	18	22		kN
Weight	W			-	g