KK2000A4000V تریستور قدرت کنترل فاز 4000v

KK2000A4000V تریستور قدرت کنترل فاز 4000v

$268≥20Piece/Pieces

نوع پرداخت:	L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:	FOB,CFR,CIF
حداقل سفارش:	20 Piece/Pieces
حمل و نقل:	Ocean,Air
بندر:	Shanghai

اکنون تماس بگیرید

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

Packaging & Delivery

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

مدل شماره: YZPST-KK2000A4000V

نام تجاری: YZPST

Packaging & Delivery

فروش واحد	:	Piece/Pieces
نوع بسته بندی	:	1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بسته بندی محافظ پلاستیکی

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

توضیحات محصول

تریستور قدرت بالا برای کاربردهای کنترل مرحله

YZPST-KK2000A4000V

امکانات:

. همه ساختار پراکنده

. پیکربندی تقویت کننده دروازه به هم پیوسته

. حداکثر زمان خاموش بودن تضمینی

. قابلیت dV / dt بالا

. دستگاه مونتاژ فشار

مشخصات و رتبه بندی های الکتریکی

بلوک K ING - خاموش S tate

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
KK2000A	4000	4000	4100

V RRM = R e p etiti v e p e a k r e v e r s e v o lta g e

V DRM = R e p etiti v e p e a k o f f s tate v o lta g e

V R S M = N o n r e p etiti v e p e a k r e v e r s e v o lta g e (2 )

Repetitive peak reverse

leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

شرکت N مجرای - در بازدید کنندگان تیت

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		2000		A	Sinewave,180o conduction,Tc=70oC
RMS value of on-state current	ITRMS		3300		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	ITSM		42000 39000		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
I square t	I2t		5.5x106		A2s	8.3 msec
Latching current	IL		1000		mA	VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		500		mA	VD = 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		2.60		V	ITM = 2000 A; Tj = 125 oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		300		A/ms	Switching from VDRM £ 1000 V

G یک تینگ

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		200		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		20		A
Gate current required to trigger all units	IGT		300 200 125		mA mA mA	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC
Gate voltage required to trigger all units	VGT	0.30	5 4		V V V	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
Peak negative voltage	VGRM		20		V

D Y NA متر IC

Parameter	Symbol	Min.	Max.		Typ.	Units	Conditions
Delay time	td			2.0		ms	ITM = 50 A; VD = 67% VDRM Gate pulse: VG = 30 V; RG = 10 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms
Turn-off time (with VR = -5 V)	tq			100		ms	ITM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -5 V; Re-applied dV/dt = 400 V/ms linear to 67% VDRM ; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery current	Irr		200			A	ITM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -50 V; Tj = 125 oC

مشخصات و امتیازات حرارتی و مکانیکی

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	Tj	-40	+125		oC
Storage temperature	Tstg	-40	+150		oC
Thermal resistance - junction to case	RQ (j-c)		0.012		o C/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	RQ (c-s)		0.002		o C/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	8000 35.5	10000 44.4		lb. kN
Weight	W			3.5 1.60	Lb. Kg.

* M o un ti n g سو R f یک ج ES s m oo t h ، f lat a n G R E یک بازدید کنندگان اد

N o te : f o r c a s e o u tli n e a n d d i m e ns i o ns ، s ee c a s e o u tli n e dr a w i n g که در p a g e 3 o f ساعت است T الکترونیکی ج HN های iCal داده ها