تریستور قدرت بالا برای برنامه های کنترل فاز 1600 ولت
$3501-9 Piece/Pieces
$250≥10Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | SHANGHAI |
$3501-9 Piece/Pieces
$250≥10Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-KP4350A1600V
نام تجاری: yzpst
VRRM: 1600 ولت
VDRM: 1600 ولت
من Rrm /i Drm: 450a
آن (AV): 4350a
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. بسته بندی ضد الکترواستاتیک 2. جعبه کارتن 3. بسته بندی محافظ پلاستیکی |
دانلود | : |
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
تریستور قدرت بالا برای برنامه های کنترل فاز
YZPST-KP4350A1600V
امکانات:
واد تمام ساختار پراکنده
واد پیکربندی دروازه تقویت کننده خطی
واد مسدود کردن Capabilty تا 16 00 ولت
واد حداکثر زمان خاموش تضمین شده
واد قابلیت DV/DT بالا
واد دستگاه مونتاژ شده فشار
خصوصیات الکتریکی و رتبه بندی ها
مسدود کردن - حالت خاموش
Device Type |
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
KP4350A |
1600 |
1600 |
1700 |
v rrm = ولتاژ معکوس اوج تکراری
V DRM = ولتاژ اوج تکرار شده
V RSM = ولتاژ معکوس اوج غیر تکراری (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
450 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
300 V/msec |
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
4350 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,TS=70oC |
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
48900
|
|
A
|
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
11.9x106 |
|
A2s |
10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
1000 |
|
mA |
VD = 12 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
450 |
|
mA |
VD = 12 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.5 |
|
V |
ITM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01% Tj = 25 oC |
Critical rate of rise of on-state current (5) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
دروازه
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
200 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
15 |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
30 |
300 200 125 |
|
mA mA mA |
VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
0.30 |
5 3
|
|
V V V |
VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
15 |
|
V |
|
طرح و ابعاد مورد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.