خانه> محصولات> دستگاه های دیسک نیمه هادی (نوع کپسول)> تریستور کنترل فاز> 2100V تریستور کنترل فاز تقویت کننده همزمان
2100V تریستور کنترل فاز تقویت کننده همزمان
2100V تریستور کنترل فاز تقویت کننده همزمان
2100V تریستور کنترل فاز تقویت کننده همزمان

2100V تریستور کنترل فاز تقویت کننده همزمان

Get Latest Price
نوع پرداخت:L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:Ocean,Air
بندر:Shanghai
ویژگی های محصول

مدل شمارهYZPST-R2619ZC21J

نام تجاریYZPST

توضیحات محصول
تریستور قدرت بالا برای کنترل مرحله

YZPST-R2619ZC21J

امکانات:

. همه ساختار پراکنده

. پیکربندی تقویت کننده دروازه به هم پیوسته

. حداکثر زمان خاموش بودن تضمینی

. قابلیت dV / dt بالا

. دستگاه مونتاژ فشار



مشخصات و رتبه بندی های الکتریکی

مسدود کردن - حالت خاموش

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

2100

2100

2200

V RRM = ولتاژ معکوس پیک تکراری

V DRM = اوج تکرار ولتاژ حالت

V RSM = ولتاژ معکوس اوج غیر تکراری (2)


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

انجام - در حالت

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

2619

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

5227

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

33.8

  

37.2

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

5.71x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.3

V

ITM = 4000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

دروازه

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

پویا

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

-

0.8

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

1.5

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

50

ms

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

مشخصات و امتیازات حرارتی و مکانیکی

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to sink

RQ (c-s)

 

11

22

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

F

27

47

-

kN

 

Weight

W

 

 

1.7

Kg

about

* نصب سطوح صاف ، صاف و چرب

توجه: برای رئوس مطالب و ابعاد ، به نقاشی رئوس مطالب در آخرین صفحه این اطلاعات فنی مراجعه کنید



Fast thyristors 63H20

Sym

A

B

C

D

H

mm

109

73

98

3.5×3

35±1

محصولات داغ
خانه> محصولات> دستگاه های دیسک نیمه هادی (نوع کپسول)> تریستور کنترل فاز> 2100V تریستور کنترل فاز تقویت کننده همزمان
苏ICP备05018286号-1
ارسال پرس و جو
*
*

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال