خانه> محصولات> دستگاه های دیسک نیمه هادی (نوع کپسول)> تریستور اینورتر> اینورتر قدرت فرکانس تریستور r1275
اینورتر قدرت فرکانس تریستور r1275
اینورتر قدرت فرکانس تریستور r1275
اینورتر قدرت فرکانس تریستور r1275
اینورتر قدرت فرکانس تریستور r1275
اینورتر قدرت فرکانس تریستور r1275

اینورتر قدرت فرکانس تریستور r1275

Get Latest Price
نوع پرداخت:L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:Ocean,Air
بندر:Shanghai
ویژگی های محصول

مدل شمارهYZPST-R1275NS21L

نام تجاریYZPST

توضیحات محصول

اینورتر تریستور با قدرت بالا

YZPST-R1275NS21L

کاربردهای اینورتر تریستور با قدرت بالا ، PSTR1275NS21L ویژگی های اینورتر نیرو تریستور R1275: پیکربندی دروازه تقویت کننده به هم پیوسته . قابلیت dV / dt بالا . دستگاه مونتاژ فشار. تمام ساختار پراکنده ، حداکثر زمان خاموش بودن تضمین شده.


High Power Thyristor Inverter

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  1275


A

Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

  1870


A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

21400


18900

 

A


A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

2.66x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

     1000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     500

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


     1.90


V

ITM = 2000 A; Duty cPSTCle £ 0.01%

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt


      1000


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive


دروازه


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200


W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W


Peak gate current

IGM

 

10

 

A


Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

150

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units



VGT

 

 

0.30

5

3


 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM


5


V




پویا


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

    1.5

0.7

ms

ITM = 500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

    40


 

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 200 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

      *

2000

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;VR³ -50 V

* برای حداکثر تضمین شده ارزش ، با کارخانه تماس بگیرید.


مشخصات و امتیازات حرارتی و مکانیکی

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125


oC


Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC


Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)


0.023

0.046

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (j-c)


0.010

0.020

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19.5

21

 

kN


* نصب سطوح صاف ، صاف و چرب

توجه: برای رئوس مطالب و ابعاد ، به ترسیم رئوس مطالب در صفحه 3 این داده های فنی مراجعه کنید


طرح کلی

High Power Thyristor Inverter High Power Thyristor Inverter






Power Inverter Thyristor r1275

Power Inverter Thyristor r1275


محصولات داغ
苏ICP备05018286号-1
ارسال پرس و جو
*
*

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال