پاور mosfet smd 110v STC2326

Get Latest Price

نوع پرداخت:	L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:	FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:	Ocean,Air
بندر:	SHANGHAI

اکنون تماس بگیرید

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

توضیحات محصول

ویژگی های محصول

مدل شماره: YZPST-STC2326

نام تجاری: YZPST

توضیحات محصول

B TA30 سری ترایاک

YZPST-STC2326

شرح

STC2326 ترانزیستور اثر میدان قدرت حالت تقویت منطق N-Channel است که با استفاده از فناوری ترانشه DMOS با تراکم سلول بسیار بالا تولید می شود. STC2326 به طور خاص برای بهبود کارایی کلی مبدل های DC / DC با استفاده از کنترل کننده های PWM سوئیچینگ همزمان یا معمولی طراحی شده است. برای شارژ کم دروازه ، RDS کم (روشن) و سرعت سوئیچینگ سریع بهینه شده است.

برنامه های کاربردی

سیستم طراحی شده

مبدل DC / DC

سوئیچ بار

امکانات

110 ولت / 3 آمپر ، RDS (روشن) = 310 میلی متر @ VGS = 10 ولت

طراحی سلول با چگالی بالا برای RDS بسیار کم (روشن)

مقاومت استثنایی و حداکثر توانایی جریان DC

طراحی بسته SOT-23-6L

پیکربندی پین (SOT-23-6L)

mosfet STC2326 (1)

Pin	Symbol	Description
1	D	Drain
2	D	Drain
3	G	Gate
4	S	Source
5	D	Drain
6	D	Drain

ای RDER ING IN F O R M A T I O N

Part Number	Package	Part Marking
SPN2326S26RGB	SOT-23-6L	26YW

A B SOU L T E MA X I M U M R A T IN G S ( T A = 25 U N L E S بازدید کنندگان ای تی ساعت E R W من S E n o t e d )

Parameter		Symbol	Typical	Unit
Drain-Source Voltage		VDSS	110	V
Gate –Source Voltage		VGSS	±20	V
Continuous Drain Current(TJ=150℃)	TA=25℃	ID	3.0	A
	TA=70℃		2.0
Pulsed Drain Current		IDM	10	A
Power Dissipation	TA=25℃	PD	2.0	W
	TA=70℃		1.3
Operating Junction Temperature		TJ	-55/150	℃
Storage Temperature Range		TSTG	-55/150	℃
Thermal Resistance-Junction to Ambient		RθJA	62.5	℃/W

Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ	Max.	Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage	V(BR)DSS	VGS=0V,ID=250uA	110			V
Gate Threshold Voltage	VGS(th)	VDS=VGS,ID=250uA	1	2.0	2.5	V
Gate Leakage Current	IGSS	VDS=0V,VGS=±20V			±100	nA
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=80V,VGS=0V			1	uA
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS=80V,VGS=0V TJ=125℃			5	uA
On-State Drain Current	ID(on)	VDS≥5V,VGS =10V	3.0			A
Drain-Source On-Resistance	RDS(on)	VGS= 10V,ID=3A		0.26	0.31	Ω
Forward Transconductance	gfs	VDS=10V,ID=3A		2.4		S
Diode Forward Voltage	VSD	IS=1A,VGS =0V			1.2	V
Dynamic
Total Gate Charge	Qg	VDS=80V,VGS=10V ID= 5A		9	13	nC
Gate-Source Charge	Qgs			2
Gate-Drain Charge	Qgd			1.4
Input Capacitance	Ciss	VDS=25,VGS=0V f=1MHz		508		pF
Output Capacitance	Coss			29
Reverse Transfer Capacitance	Crss			16.5
Turn-On Time	td(on)	VDD=50V,RL=10Ω ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω		2		nS
Turn-On Time	tr			21.5
Turn-Off Time	td(off)			11.2
Turn-Off Time	tf			18.8